通過(guò)芯片解密失敗原因分析提高破解芯片的成功率

芯片解密公司一般不保證芯片解密的百分之百成功，芯片解密會(huì)受到多種內(nèi)外因素影響而造成解密的失敗。

芯片解密失敗的原因很多，有人為因素，也有客觀(guān)環(huán)境因素的影響等等，下面是集中常見(jiàn)的造成芯片失敗的原因：

1.DECAP（芯片開(kāi)封技術(shù)）存在失敗的可能（這種占解密失敗原因的絕大部分）：

Decap即開(kāi)封，也稱(chēng)開(kāi)蓋，開(kāi)帽，指給完整封裝的IC做*局部腐蝕，使得IC可以暴露出來(lái)，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀(guān)察或做其他測(cè)試（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。

A.過(guò)腐蝕，PAD腐蝕壞，外部不能讀出程序

B.芯片流片工藝不好，DECAP的時(shí)候容易腐蝕PASSVATION表層（鈍化層），使管芯實(shí)效，外部無(wú)法讀出程序

C.開(kāi)蓋的時(shí)候把PIN腳氧化（酸弄到管腳上了）

D.無(wú)意中弄斷AL線(xiàn)

E.芯片機(jī)使用特殊封裝材料，無(wú)法和酸反應(yīng)

F.管芯特殊封裝，不在芯片正中位置，極容易開(kāi)壞

E:芯片封裝的時(shí)候有雜質(zhì)，無(wú)法進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)?！?/span>

2.FIB（聚焦離子束技術(shù)）存在失敗的可能：

FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam)是將離子源(大多數(shù)FIB都用Ga，也有設(shè)備具有He和Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬，氧化硅層或沉積金屬層。

A:芯片流片工藝小，位子沒(méi)有找正確

B:FIB連線(xiàn)過(guò)長(zhǎng)，離子注入失效

C:離子注入強(qiáng)度沒(méi)有控制好

D:FIB設(shè)備存在問(wèn)題

E:某些芯片破解，需要在同一小區(qū)域做多項(xiàng)FIB，或者在同一時(shí)間內(nèi)，做多項(xiàng)FIB，那么就容易FIB出現(xiàn)問(wèn)題。